参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	BSO201SP H
说明	功率MOSFET   4.9mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	321 [库存更新时间：2025-04-02]
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	9600pF @ 15V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
漏源极电压Vds	20V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	88nC @ 4.5V
通道数量	1Channel
连续漏极电流Id	14.9A
Rds On(Max)@Id,Vgs	6.7mΩ
栅极电压Vgs	12V
Qg-栅极电荷	-88nC
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	2.5W
高度	1.75mm
长度	4.9mm
系列	OptiMOSP
FET类型	P-Channel
宽度	3.9mm
正向跨导 - 最小值	40S
下降时间	162ns
上升时间	99ns
典型接通延迟时间	21ns